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浙江太阳能电池板采购 振昌

发布日期 :2019-12-05 17:08发布IP:123.58.44.103编号:5844459
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视频作者:苏州振昌光伏科技有限公司





太阳能电池材料的光学性质

太阳能电池的光学性质,常常决定着太阳能电池的极限效率,而且也是工艺设计的依据。

⑴ 吸收定律

当一束光谱辐照度为 I0 的光正交入射到半导体表面上时,扣除反射后,进入半导体的光谱辐照度为 I0(1-R) ,在半导体内离前表面距离为 x 处的光谱辐照度 Ix 由吸收定律决定:当薄片厚度为 d 时,我们可以得到关于透射率更完整的近似表达式。

本征吸收

在原子图像中, 硅的本征吸收可以理解为一个硅原子吸收一个光子后受到激发, 使得一个共价电子变成了自由电子,同时在共价键断裂处留下一个空穴。实验发现,只有那些 hu 大于禁带宽度 Eg 的光子,才能产生本征吸收。显然入射光子必须满足或式中 Vo-- 刚好能产生本征吸收的光的频率(频率吸限) ; λ o-- 刚好能产生本征吸收的光的波长(波长吸收限) 。可以认为,硅对于波长大于率和填充因数1.15 μ m 的红外光是透明的。 太阳能电池等效电路、输出功率和填充因数.


⑴ 等效电路为了描述电池的工作状态,往往将电池及负载系统用一个等效电路来模拟。


1. 恒流源 : 在恒定光照下, 一个处于工作状态的太阳电池, 其光电流不随工作状态而变化,在等效电路中可把它看做是恒流源。

2. 暗电流 Ibk : 光电流一部分流经负载 RL,在负载两端建立起端电压 U,反过来,它又正向偏置于 PN结,单晶硅太阳能电池板采购,引起一股与光电流方向相反的暗电流 Ibk 。

3. 这样,一个理想的 PN同质结太阳能电池的等效电路就被绘制成如图所示。

4. 串联电阻 RS:由于前面和背面的电极接触,以及材料本身具有一定的电阻率,基区和顶层都不可避免地要引入附加电阻。可将它们的总效果用一个串联电阻 流经负载的电流经过它们时,RS来表示。必然引起损耗。 在等效电路中,5. 并联电阻 RSh:由于电池边沿的漏电和制作金属化电极时在微裂纹、划痕等处形成的金属桥漏电等, 使一部分本应通过负载的电流短路, 这种作用的大小可用一个并联电阻 RSh来等效。












太阳能电池板原理-本征半导体

本征半导体

化学物质的导电率能决策于原子构造。电导体一般为廉价原素,他们的最表层电子非常容易摆脱原子核的拘束变成自由电子,出外静电场的功效下造成定项挪动,产生电流量。

将纯粹的半导体材料历经一定的加工工艺全过程做成单晶体,即是本征半导体。结晶中的原子在室内空间产生排序齐整的点阵激光,邻近的原子产生共价键。结晶中的共价键具备很强的结合性,浙江太阳能电池板采购,因而,在常温状态,仅有极个别的价电子因为热健身运动(热激起)得到充足的动能,进而摆脱共价键的拘束变为为自由电子。此外,在共价键中留有一个空穴。原子因失去一个价电子而带正电,换句话说空穴带正电。在本征半导体中,自由电子与空穴是成双出現的,晶体硅太阳能电池板采购,即自由电子与空穴数量相同。自由电子在健身运动的全过程中假如与空穴相逢就会弥补空穴,合。在一定的溫度下,本征激起所造成的自由电子与空穴对,目相同,故超过稳定平衡。能带理论:使二者另外消退,这种情况称之为复与复合型的自由电子和空穴多数

1、单独原子中的电子在绕核健身运动时,在每个路轨上的电子都分别具备特殊的动能;

2、越挨近核的路轨,电子动能越低;

3、依据动能最少基本原理电子一直优先选择占据最少能级;

4、价电子所占有的可带称之为价带;

5、价带的上边有一个禁带,禁带中找不到为电子所占有的能级;

6、禁带之中则为导带,导带中的能级就是说价电子摆脱共价键拘束而变成自由电子能够占有的能级;

7、禁带宽度用Eg表达,其值与半导体材料的原材料以及所在的溫度等要素相关。T=300K时,硅的Eg=1.1eV;锗的Eg=0.72eV。



对太阳能电池板来讲,暗电流不但包含PN结的反方向饱和电流,还包含充电电池的层析泄露电流图4不一样温度下的的暗电流曲线图和体泄露电流。暗电流的来源于关键有2个层面,一方面来源于难以避免的辐射复合,另一方面是锂电池材料及充电电池制取全过程中产生的缺点和引入的残渣。这种缺点和残渣产生很多的复合中心,损害光生载流子。以便实际科学研究不一样成份的暗电流对充电电池的危害,

复合中心浓度为1x1010cm-35。时,无边框太阳能电池板采购, 基本上不随温度转变,值约为1,这表明复合中心造成的暗电流能够忽略,电流量的损害关键是辐射复合;复合中心浓度为1x1016cm-3时,值约为0,这时候辐射复合造成的暗电流能够忽视,暗电流关键由缺点残渣产生的复合中心奉献,光生载流子经复合中心,很多图5不一样nt下辐射复合权重值与温度的关联损害;复合中心浓度为1x1015cm-3时,二者产生的复合电流量非常,随之温度的上升,复合中心的危害越米越大。由图6所知,高复合中心高溫下严重危害转换效率,但随之温度的减少,这类危害在变弱,且三条曲线在超低温方位有聚集的发展趋势。这由于超低温下,电子器件的热速率减少。复合中心虏获载流子的几率减少了。选择300K,竖向看,复合中心浓度由1x1010cm-3提升到1x1015cm-3,高效率减少了2.6%,由1x1015cm-3提升到1x1016cm-3,高效率却降低了4.1%,这表明,温度一定时执行,充电电池对复合中心浓度有一个忍受范畴。假定短路容量相当于光生电流量,则暗电流的危害关键反映在开路电压上。




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